casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / VS-1N1199A
Número de pieza del fabricante | VS-1N1199A |
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Número de parte futuro | FT-VS-1N1199A |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-1N1199A Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 50V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 12A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.35V @ 12A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 3mA @ 50V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Chassis, Stud Mount |
Paquete / Caja | DO-203AA, DO-4, Stud |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-203AA |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 200°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-1N1199A Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VS-1N1199A-FT |
VS-1N1202RA
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N1203A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N1204RA
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N1205A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N3670A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N3671A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N3671RA
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N3672A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N3673RA
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N3879
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel