casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / VS-18TQ035HN3
Número de pieza del fabricante | VS-18TQ035HN3 |
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Número de parte futuro | FT-VS-18TQ035HN3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
VS-18TQ035HN3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 35V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 18A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 600mV @ 18A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 2.5mA @ 35V |
Capacitancia a Vr, F | 1400pF @ 5V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-2 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AC |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-18TQ035HN3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VS-18TQ035HN3-FT |
MBR7H60HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NS8ATHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NS8ATHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NS8BTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NS8BTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NS8DTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NS8DTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NS8GTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NS8GTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NS8JTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200-5VQ100C
Xilinx Inc.
10M04SAU169C8G
Intel
10AX027H4F35E3LG
Intel
10M50SAE144I7G
Intel
XC6SLX4-2CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-2CSG324I
Xilinx Inc.
ICE40LM2K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4L
Intel
EPF10K50EQC208-1N
Intel