casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / VS-18TQ035-M3
Número de pieza del fabricante | VS-18TQ035-M3 |
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Número de parte futuro | FT-VS-18TQ035-M3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-18TQ035-M3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 35V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 18A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 720mV @ 36A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 2.5mA @ 35V |
Capacitancia a Vr, F | 1400pF @ 5V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-2 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AC |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-18TQ035-M3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VS-18TQ035-M3-FT |
V3PAL45-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V3PAL45HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V4PAL45HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V4PAN50-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V8PA10-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V8PA12-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V8PAL45-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V8PAL50-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V8PAM10HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V8PAN50-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel