casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / VS-183NQ100PBF
Número de pieza del fabricante | VS-183NQ100PBF |
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Número de parte futuro | FT-VS-183NQ100PBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-183NQ100PBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 180A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 910mV @ 180A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 4.5mA @ 100V |
Capacitancia a Vr, F | 4150pF @ 5V, 1MHz |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | D-67 HALF-PAK |
Paquete del dispositivo del proveedor | D-67 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-183NQ100PBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VS-183NQ100PBF-FT |
BYM11-800HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM11-800HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-100HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-100HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-150HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-150HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-200HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-200HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-300HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-300HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7A50T-L1CSG325I
Xilinx Inc.
APA600-CGS624M
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-2FGG484
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3DQC
Microchip Technology
A42MX24-PL84M
Microsemi Corporation
AGL250V2-FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-1300C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S40F780C6N
Intel
EPF10K30RC240-3
Intel
EP20K400ERC208-3
Intel