casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / VS-16CTQ080G-1PBF
Número de pieza del fabricante | VS-16CTQ080G-1PBF |
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Número de parte futuro | FT-VS-16CTQ080G-1PBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
VS-16CTQ080G-1PBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 80V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 8A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 880mV @ 16A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 280µA @ 80V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 175°C (Max) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-262-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-16CTQ080G-1PBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VS-16CTQ080G-1PBF-FT |
VI20200C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20200G-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20202C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20202G-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20M120C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI30100C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI30120C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI30120C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI30150C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI30150C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7K70T-3FBG676E
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FGG256
Microsemi Corporation
5SGSMD5K2F40I2L
Intel
5AGXMA5D4F27I3N
Intel
5SGXMA7H3F35C4
Intel
EP3SL340H1152I4
Intel
LFE3-95EA-8FN1156I
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LFE2M35SE-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08SAM153C8G
Intel