casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / VS-12TQ040-M3
Número de pieza del fabricante | VS-12TQ040-M3 |
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Número de parte futuro | FT-VS-12TQ040-M3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-12TQ040-M3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 40V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 15A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 710mV @ 30A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1.75mA @ 40V |
Capacitancia a Vr, F | 900pF @ 5V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-2 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AC |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-12TQ040-M3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VS-12TQ040-M3-FT |
SE50PAG-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE50PAGHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE50PAJ-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V3PAL45-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V3PAL45HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V4PAL45HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V4PAN50-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V8PA10-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V8PA12-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V8PAL45-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel