casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / VS-12CWQ10FNTRRPBF
Número de pieza del fabricante | VS-12CWQ10FNTRRPBF |
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Número de parte futuro | FT-VS-12CWQ10FNTRRPBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-12CWQ10FNTRRPBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 6A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 800mV @ 6A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1mA @ 100V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paquete del dispositivo del proveedor | D-PAK (TO-252AA) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-12CWQ10FNTRRPBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VS-12CWQ10FNTRRPBF-FT |
VS-6CWQ10FNTRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRD650CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRD650CTTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRD650CTTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRD650CTTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRD660CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRD660CTTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRD660CTTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRD660CTTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
V12W60C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7S6-1FTGB196I
Xilinx Inc.
AX250-1FG256I
Microsemi Corporation
APA750-PQG208
Microsemi Corporation
A3PN030-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP3C16F256C6
Intel
5SGXEA7N3F40C4N
Intel
XC7VX415T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
LFEC6E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400C8
Intel
EP2AGZ300FF35C4N
Intel