casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / VS-12CWQ10FNTRPBF
Número de pieza del fabricante | VS-12CWQ10FNTRPBF |
---|---|
Número de parte futuro | FT-VS-12CWQ10FNTRPBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-12CWQ10FNTRPBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 6A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 800mV @ 6A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1mA @ 100V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paquete del dispositivo del proveedor | D-PAK (TO-252AA) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-12CWQ10FNTRPBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VS-12CWQ10FNTRPBF-FT |
VS-6CWQ10FNTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6CWQ10FNTRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRD650CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRD650CTTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRD650CTTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRD650CTTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRD660CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRD660CTTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRD660CTTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRD660CTTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S1400A-4FGG676C
Xilinx Inc.
AGLN060V2-CSG81
Microsemi Corporation
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
5SGXEA7H3F35I3LN
Intel
EP4SE820H35C3N
Intel
XC5VLX110-2FFG1153I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
EP1S20F780C5N
Intel
EP1S30F780C5N
Intel