casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / VS-10ETS08S-M3
Número de pieza del fabricante | VS-10ETS08S-M3 |
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Número de parte futuro | FT-VS-10ETS08S-M3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-10ETS08S-M3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 800V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 10A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 50µA @ 800V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-10ETS08S-M3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VS-10ETS08S-M3-FT |
VBT2045BP-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT2045BP-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT2080S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT2080S-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT2080S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT2080S-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3045BP-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3045BP-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3045BP-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3080S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel