casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / VS-10ETF12STRL-M3
Número de pieza del fabricante | VS-10ETF12STRL-M3 |
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Número de parte futuro | FT-VS-10ETF12STRL-M3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-10ETF12STRL-M3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.33V @ 10A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 310ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100µA @ 1200V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-10ETF12STRL-M3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VS-10ETF12STRL-M3-FT |
VBT1080S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT1080S-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT2045BP-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT2045BP-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT2080S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT2080S-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT2080S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT2080S-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3045BP-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3045BP-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7S25-1FTGB196C
Xilinx Inc.
APA075-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2S60F484I4N
Intel
10M25SAE144C8G
Intel
XC4008E-1PC84C
Xilinx Inc.
XC7VX980T-1FFG1930I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQG100
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-1300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2SG
Intel
EPF10K30ABC356-4
Intel