casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / VS-10ETF12STRL-M3
Número de pieza del fabricante | VS-10ETF12STRL-M3 |
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Número de parte futuro | FT-VS-10ETF12STRL-M3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-10ETF12STRL-M3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.33V @ 10A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 310ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100µA @ 1200V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-10ETF12STRL-M3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VS-10ETF12STRL-M3-FT |
VBT1080S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT1080S-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT2045BP-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT2045BP-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT2080S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT2080S-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT2080S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT2080S-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3045BP-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3045BP-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S400A-4FG400I
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208A
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1DQI
Microchip Technology
EP1K30FC256-2N
Intel
EP4CE6E22C8
Intel
5SGXMA3K2F35C2N
Intel
XC5VSX50T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX115R3F40I2SG
Intel