casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / VS-10ETF10STRR-M3
Número de pieza del fabricante | VS-10ETF10STRR-M3 |
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Número de parte futuro | FT-VS-10ETF10STRR-M3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-10ETF10STRR-M3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1000V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.33V @ 10A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 310ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100µA @ 1000V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-10ETF10STRR-M3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VS-10ETF10STRR-M3-FT |
VBT1045BP-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT1080S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT1080S-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT1080S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT1080S-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT2045BP-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT2045BP-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT2080S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT2080S-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT2080S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
XC3S1400A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3FT256C
Xilinx Inc.
XC7A200T-1FBG676I
Xilinx Inc.
A54SX08A-PQ208I
Microsemi Corporation
LFE5U-12F-7BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN060-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3M100C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4M13C8N
Intel