casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / VS-10ETF02STRRPBF
Número de pieza del fabricante | VS-10ETF02STRRPBF |
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Número de parte futuro | FT-VS-10ETF02STRRPBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-10ETF02STRRPBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.2V @ 10A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 200ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100µA @ 200V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-10ETF02STRRPBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VS-10ETF02STRRPBF-FT |
MURB820TRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB820TRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8ATHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8ATHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8BTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8BTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8DTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8DTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8GTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8GTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-1VQG80I
Microsemi Corporation
M2GL005-VFG256
Microsemi Corporation
ICE65L01F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K10-2DQU
Microchip Technology
5SGSMD6N2F45I2LN
Intel
EP3SE260F1152I4L
Intel
XC4VLX60-11FFG1148C
Xilinx Inc.
LFX125EB-05F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H4F34I3SG
Intel
EP4SGX360FF35C3N
Intel