casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / VS-10BQ030-M3/5BT
Número de pieza del fabricante | VS-10BQ030-M3/5BT |
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Número de parte futuro | FT-VS-10BQ030-M3/5BT |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-10BQ030-M3/5BT Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 30V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 420mV @ 1A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 500µA @ 30V |
Capacitancia a Vr, F | 200pF @ 5V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AA, SMB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AA (SMB) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-10BQ030-M3/5BT Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VS-10BQ030-M3/5BT-FT |
US1DHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1DHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1G/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1GHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1GHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1J/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1JHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1JHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1KHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1KHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3SD3400A-4CSG484LI
Xilinx Inc.
XC3S200AN-5FTG256C
Xilinx Inc.
XA3SD1800A-4FGG676Q
Xilinx Inc.
XC7S6-1FTGB196Q
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208I
Microsemi Corporation
A54SX16P-VQG100I
Microsemi Corporation
XC4010XL-09BG256C
Xilinx Inc.
XC2V3000-6FFG1152C
Xilinx Inc.
5CEFA5U19C7N
Intel
10AX115U4F45I3SG
Intel