casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / VN2460N8-G
Número de pieza del fabricante | VN2460N8-G |
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Número de parte futuro | FT-VN2460N8-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VN2460N8-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 200mA (Tj) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 Ohm @ 100mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 2mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 150pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.6W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-243AA (SOT-89) |
Paquete / Caja | TO-243AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VN2460N8-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VN2460N8-G-FT |
PSMN3R5-40YSDX
Nexperia USA Inc.
PSMN3R7-25YLC,115
NXP USA Inc.
PSMN3R7-30YLC,115
NXP USA Inc.
PSMN4R0-25YLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN4R1-30YLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN4R5-30YLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN5R0-30YL,115
Nexperia USA Inc.
PSMN5R2-60YLX
Nexperia USA Inc.
PSMN5R6-60YLX
Nexperia USA Inc.
PSMN5R9-30YL,115
NXP USA Inc.
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
A1425A-1PQ100I
Microsemi Corporation
XC4052XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
EP3CLS100F484C7
Intel
EP2AGX125DF25C4N
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EP2AGX65DF25C5
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5CEBA5U19C8N
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EP1C20F324I7N
Intel