casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / VM0550-2F
Número de pieza del fabricante | VM0550-2F |
---|---|
Número de parte futuro | FT-VM0550-2F |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™ |
VM0550-2F Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 590A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 2000nC @ 10V |
Vgs (Max) | - |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 50000pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2200W |
Temperatura de funcionamiento | - |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | Module |
Paquete / Caja | Module |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VM0550-2F Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VM0550-2F-FT |
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