casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / VLS252010HBU-3R3M
Número de pieza del fabricante | VLS252010HBU-3R3M |
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Número de parte futuro | FT-VLS252010HBU-3R3M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | VLS-HBU |
VLS252010HBU-3R3M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Metal |
Inductancia | 3.3µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 1.24A |
Corriente - Saturación | 2A |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 270 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Nonstandard |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VLS252010HBU-3R3M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VLS252010HBU-3R3M-FT |
VLS3010ET-2R2M
TDK Corporation
VLS3010ET-4R7M
TDK Corporation
VLS3010T-100MR65
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VLS252012ET-2R2M
TDK Corporation
VLS252012ET-3R3M
TDK Corporation
VLS252012ET-100M
TDK Corporation
VLS201612ET-4R7M
TDK Corporation
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV800-5FG676C
Xilinx Inc.
M1A3P600-FG256I
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQG100I
Microsemi Corporation
XC4020XL-1HT176I
Xilinx Inc.
EP2AGX45DF25C4N
Intel
XC7S50-2CSGA324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG144M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I3N
Intel