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Número de pieza del fabricante | VLS2010ET-2R2M |
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Número de parte futuro | FT-VLS2010ET-2R2M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | VLS |
VLS2010ET-2R2M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Inductancia | 2.2µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 1A |
Corriente - Saturación | 1A |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 228 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Nonstandard |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VLS2010ET-2R2M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VLS2010ET-2R2M-FT |
875FU-122M=P3
Murata Electronics North America
824MY-180K
TDK Corporation
682AE-014=P3
EPCOS (TDK)
656LZ-05K=P3
Taiyo Yuden
646FY-471K=P3
Pulse Electronics Power
646FY-181K=P3
Murata Electronics North America
636FY-820M=P3
Bourns Inc.
636FY-680M=P3
Bourns Inc.
300NS-R22M=P2
Panasonic Electronic Components
380NB-68NM=P2
Abracon LLC
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3C80U484C7N
Intel
10M08DAF256I7G
Intel
5SGXMB5R3F40C2LN
Intel
5SGXEA5K3F35I3LN
Intel
EP4SE530H35C2
Intel
XC4VFX100-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LFE3-70E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation