Número de pieza del fabricante | VJ647M |
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Número de parte futuro | FT-VJ647M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VJ647M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Avalanche |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 1.1kV |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.3V @ 1A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 1100V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-Square, VJ |
Paquete del dispositivo del proveedor | VJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VJ647M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VJ647M-FT |
MMB4G-G
Comchip Technology
MMB4G-HF
Comchip Technology
MMB6G-G
Comchip Technology
MMB6G-HF
Comchip Technology
MMB8G-G
Comchip Technology
MMB8G-HF
Comchip Technology
MSD100-18
Microsemi Corporation
MSD130-18
Microsemi Corporation
MSD30-18
Microsemi Corporation
MSD50-18
Microsemi Corporation
A54SX32-TQG144I
Microsemi Corporation
EP1K50TI144-2
Intel
XCV200-6FG456C
Xilinx Inc.
A42MX36-1BG272I
Microsemi Corporation
A3P1000-2FG484
Microsemi Corporation
M1AGLE3000V2-FG484
Microsemi Corporation
EP3C5F256I7
Intel
XC4006E-4PC84I
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation