Número de pieza del fabricante | VJ647M |
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Número de parte futuro | FT-VJ647M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VJ647M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Avalanche |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 1.1kV |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.3V @ 1A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 1100V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-Square, VJ |
Paquete del dispositivo del proveedor | VJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VJ647M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VJ647M-FT |
MMB4G-G
Comchip Technology
MMB4G-HF
Comchip Technology
MMB6G-G
Comchip Technology
MMB6G-HF
Comchip Technology
MMB8G-G
Comchip Technology
MMB8G-HF
Comchip Technology
MSD100-18
Microsemi Corporation
MSD130-18
Microsemi Corporation
MSD30-18
Microsemi Corporation
MSD50-18
Microsemi Corporation
LFEC3E-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCKU15P-L2FFVE1517E
Xilinx Inc.
A54SX32A-2FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256
Microsemi Corporation
10M16DCF484A7G
Intel
5SGXMB5R3F40I3N
Intel
5SGTMC5K2F40I2N
Intel
5SEE9H40I2N
Intel
10AX090N4F40I3LG
Intel
EP20K100EBC356-1
Intel