casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / VI20120SG-M3/4W
Número de pieza del fabricante | VI20120SG-M3/4W |
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Número de parte futuro | FT-VI20120SG-M3/4W |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
VI20120SG-M3/4W Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 120V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 20A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.33V @ 20A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 250µA @ 120V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-262AA |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VI20120SG-M3/4W Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VI20120SG-M3/4W-FT |
VS-T40HF60
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T70HFL60S02
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T110HF100
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T85HFL100S05
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T40HF10
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T110HF10
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T110HF120
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T110HF20
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T110HF40
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T110HF60
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel