casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / VI20120SG-E3/4W
Número de pieza del fabricante | VI20120SG-E3/4W |
---|---|
Número de parte futuro | FT-VI20120SG-E3/4W |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VI20120SG-E3/4W Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 120V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 20A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.33V @ 20A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 250µA @ 120V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-262AA |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VI20120SG-E3/4W Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VI20120SG-E3/4W-FT |
VS-VSKE91/12
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T40HF60
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T70HFL60S02
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T110HF100
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T85HFL100S05
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T40HF10
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T110HF10
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T110HF120
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T110HF20
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T110HF40
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-256ZE-2TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3LN
Intel
10CL010ZE144I8G
Intel
EP1AGX90EF1152C6
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG144
Microsemi Corporation
EP20K100EQC208-1X
Intel