casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / VFT4060C-M3/4W
Número de pieza del fabricante | VFT4060C-M3/4W |
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Número de parte futuro | FT-VFT4060C-M3/4W |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
VFT4060C-M3/4W Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 60V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 20A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 620mV @ 20A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 6mA @ 60V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Paquete del dispositivo del proveedor | ITO-220AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VFT4060C-M3/4W Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VFT4060C-M3/4W-FT |
GSD2004C-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004S-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004S-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004S-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004S-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004S-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004S-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBD7000-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBD7000-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBD7000-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2V80-5FGG256C
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-3FFG484C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-1PQG208
Microsemi Corporation
EP3CLS70U484C8N
Intel
5SGSMD4K3F40I3L
Intel
EP2AGX65DF25C4G
Intel
EP3SE260F1152I4N
Intel
EP2AGX95EF35C6N
Intel