casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / VFT3060G-M3/4W
Número de pieza del fabricante | VFT3060G-M3/4W |
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Número de parte futuro | FT-VFT3060G-M3/4W |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VFT3060G-M3/4W Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 60V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 15A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 730mV @ 15A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 850µA @ 60V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-3 Isolated Tab |
Paquete del dispositivo del proveedor | ITO-220AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VFT3060G-M3/4W Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VFT3060G-M3/4W-FT |
GSD2004A-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004A-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004A-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004C-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004C-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004C-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004C-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004C-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004S-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004S-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200ZE-1TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4005E-4PQ208I
Xilinx Inc.
M2GL090-1FCSG325I
Microsemi Corporation
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2PQG208
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE75F23I7
Intel
EP2SGX60EF1152I4N
Intel
A3P250-1FGG144T
Microsemi Corporation
EP1AGX35DF780C6N
Intel