casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / VF40100G-E3/4W
Número de pieza del fabricante | VF40100G-E3/4W |
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Número de parte futuro | FT-VF40100G-E3/4W |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
VF40100G-E3/4W Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 20A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 810mV @ 20A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 500µA @ 100V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Paquete del dispositivo del proveedor | ITO-220AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VF40100G-E3/4W Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VF40100G-E3/4W-FT |
BAT54S-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT54S-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT54S-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT54S-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV23C-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV23C-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV23C-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV23C-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV23C-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV70-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S50-5PQG208I
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF6010ATC100-3N
Intel
EPF10K50SFC484-2X
Intel
10AX048H3F34I2LG
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5SGXEB6R3F43I4N
Intel
EP3SE110F1152I3
Intel
XCV200-4BG256C
Xilinx Inc.
XC2VP4-6FFG672C
Xilinx Inc.
10AX115H3F34I2LG
Intel