casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / VBT2080C-E3/4W
Número de pieza del fabricante | VBT2080C-E3/4W |
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Número de parte futuro | FT-VBT2080C-E3/4W |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
VBT2080C-E3/4W Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 80V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 810mV @ 10A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 600µA @ 80V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 150°C (Max) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VBT2080C-E3/4W Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VBT2080C-E3/4W-FT |
VS-12CDU06-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CDU06HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10CDH06-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10CDH06HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10D100C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10D120C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10D120CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10D202C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10D202CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10D45C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX45-3FGG676C
Xilinx Inc.
A42MX36-FPQ240
Microsemi Corporation
A1425A-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C8F256C7N
Intel
EP4CE22E22C6N
Intel
XC7K480T-2FFG901C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090H2F34I2SG
Intel
EP4CE75F29C9LN
Intel
EPF10K100EQC240-2N
Intel