casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / VB30100SG-M3/8W
Número de pieza del fabricante | VB30100SG-M3/8W |
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Número de parte futuro | FT-VB30100SG-M3/8W |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VB30100SG-M3/8W Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 30A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 30A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 350µA @ 100V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263AB |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VB30100SG-M3/8W Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VB30100SG-M3/8W-FT |
VS-HFA04TB60SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
MB10H100HE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1045HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1045HE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1060HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1060HE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB10H60HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB10H60HE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1635HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1635HE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2VP40-6FGG676C
Xilinx Inc.
XC4036XL-1HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
EP4CGX50CF23I7N
Intel
5SGXMB9R2H43I2LN
Intel
5SGXEB5R2F43C2N
Intel
XC4028XL-3HQ208I
Xilinx Inc.
LFE5U-12F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70DF29C3N
Intel
EPF10K20RC208-3
Intel