casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / VB30100SG-M3/4W
Número de pieza del fabricante | VB30100SG-M3/4W |
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Número de parte futuro | FT-VB30100SG-M3/4W |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VB30100SG-M3/4W Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 30A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 30A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 350µA @ 100V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263AB |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VB30100SG-M3/4W Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VB30100SG-M3/4W-FT |
VS-6TQ045SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA04TB60SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
MB10H100HE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1045HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1045HE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1060HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1060HE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB10H60HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB10H60HE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1635HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel