casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / VB20120SG-M3/8W
Número de pieza del fabricante | VB20120SG-M3/8W |
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Número de parte futuro | FT-VB20120SG-M3/8W |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VB20120SG-M3/8W Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 120V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 20A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.33V @ 20A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 250µA @ 120V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263AB |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VB20120SG-M3/8W Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VB20120SG-M3/8W-FT |
UGB8DT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15TQ060SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA15TB60S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1645-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA25TB60SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA08TB60S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB820-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1660-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UHB10FT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETF10PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel