casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / VB20120SG-M3/8W
Número de pieza del fabricante | VB20120SG-M3/8W |
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Número de parte futuro | FT-VB20120SG-M3/8W |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VB20120SG-M3/8W Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 120V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 20A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.33V @ 20A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 250µA @ 120V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263AB |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VB20120SG-M3/8W Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VB20120SG-M3/8W-FT |
UGB8DT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15TQ060SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA15TB60S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1645-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA25TB60SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA08TB60S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB820-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1660-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UHB10FT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETF10PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-3VQG80
Microsemi Corporation
AT6005ALV-4AC
Microchip Technology
XC3S1000-5FGG320C
Xilinx Inc.
XCV200-4FG456I
Xilinx Inc.
AT40K10LV-3CQI
Microchip Technology
EP20K200CF672C8
Intel
EP3C16E144I7N
Intel
5SGXEA7N3F45I3L
Intel
5SGXEA7K2F35C2N
Intel
EP1C20F324I7N
Intel