casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / V8PM12HM3_A/H
Número de pieza del fabricante | V8PM12HM3_A/H |
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Número de parte futuro | FT-V8PM12HM3_A/H |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® |
V8PM12HM3_A/H Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 120V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 3.6A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 840mV @ 8A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 300µA @ 120V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-277, 3-PowerDFN |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-277A (SMPC) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V8PM12HM3_A/H Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | V8PM12HM3_A/H-FT |
BAT54WS-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT54WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT54WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV19WS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV19WS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV19WS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV19WS-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV19WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV20WS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV20WS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2VP40-6FGG676C
Xilinx Inc.
XC4036XL-1HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
EP4CGX50CF23I7N
Intel
5SGXMB9R2H43I2LN
Intel
5SGXEB5R2F43C2N
Intel
XC4028XL-3HQ208I
Xilinx Inc.
LFE5U-12F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70DF29C3N
Intel
EPF10K20RC208-3
Intel