casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / V3F6-M3/H
Número de pieza del fabricante | V3F6-M3/H |
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Número de parte futuro | FT-V3F6-M3/H |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | eSMP®, TMBS® |
V3F6-M3/H Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 60V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 3A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 620mV @ 3A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 600µA @ 60V |
Capacitancia a Vr, F | 310pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-219AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-219AB (SMF) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V3F6-M3/H Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | V3F6-M3/H-FT |
SE10DB-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE10DD-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE10DDHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE10DG-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE10DGHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE10DJHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE12DB-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE12DBHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE12DD-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE12DDHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel