casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / V35PW12-M3/I
Número de pieza del fabricante | V35PW12-M3/I |
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Número de parte futuro | FT-V35PW12-M3/I |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® |
V35PW12-M3/I Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 120V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 35A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.05V @ 35A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1mA @ 120V |
Capacitancia a Vr, F | 2350pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SlimDPAK |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V35PW12-M3/I Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | V35PW12-M3/I-FT |
VS-10WQ045FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10WQ045FNTRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10WQ045FNTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10WQ045FNTRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30WQ03FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30WQ03FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30WQ03FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30WQ03FNTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30WQ04FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30WQ04FNHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
LFE2-6E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2FGG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208I
Microsemi Corporation
10M40DCF484C8G
Intel
EP4CGX110CF23I7
Intel
10M40DAF256C7G
Intel
10AX022E4F27E3LG
Intel
XC5VLX85-2FFG676I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation