casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / V2FM10-M3/I
Número de pieza del fabricante | V2FM10-M3/I |
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Número de parte futuro | FT-V2FM10-M3/I |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | eSMP®, TMBS® |
V2FM10-M3/I Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 2A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 830mV @ 2A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 55µA @ 100V |
Capacitancia a Vr, F | 150pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-219AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-219AB (SMF) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V2FM10-M3/I Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | V2FM10-M3/I-FT |
S07B-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
S07D-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
S07D-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
S07D-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
S07G-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
S07J-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
S07J-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
S07M-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1FLB-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1FLB-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1010B-2VQG80C
Microsemi Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C2L
Intel
5SEE9H40I4N
Intel
XC7VX690T-L2FFG1761E
Xilinx Inc.
5CEFA7F23C8N
Intel
EP20K200EQC208-1
Intel