casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / V2FM10-M3/H
Número de pieza del fabricante | V2FM10-M3/H |
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Número de parte futuro | FT-V2FM10-M3/H |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | eSMP®, TMBS® |
V2FM10-M3/H Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 2A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 830mV @ 2A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 55µA @ 100V |
Capacitancia a Vr, F | 150pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-219AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-219AB (SMF) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V2FM10-M3/H Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | V2FM10-M3/H-FT |
V35DM120HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE10DB-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE10DD-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE10DDHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE10DG-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE10DGHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE10DJHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE12DB-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE12DBHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE12DD-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel