casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / V2F6HM3/H
Número de pieza del fabricante | V2F6HM3/H |
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Número de parte futuro | FT-V2F6HM3/H |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® |
V2F6HM3/H Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 60V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 2A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 600mV @ 2A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 480µA @ 60V |
Capacitancia a Vr, F | 250pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-219AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-219AB (SMF) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V2F6HM3/H Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | V2F6HM3/H-FT |
V35DM120-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V35DM120HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE10DB-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE10DD-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE10DDHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE10DG-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
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Vishay Semiconductor Diodes Division
SE10DJHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE12DB-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE12DBHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX08A-1TQG144I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
EX128-TQ100A
Microsemi Corporation
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XC7S100-1FGGA676C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP1K100FC256-1
Intel
XC7K70T-1FBG484I
Xilinx Inc.
LFX200B-04F256C
Lattice Semiconductor Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation