casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / V10PN50-M3/86A
Número de pieza del fabricante | V10PN50-M3/86A |
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Número de parte futuro | FT-V10PN50-M3/86A |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | eSMP®, TMBS® |
V10PN50-M3/86A Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 50V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 550mV @ 10A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1.5mA @ 50V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-277, 3-PowerDFN |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-277A (SMPC) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V10PN50-M3/86A Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | V10PN50-M3/86A-FT |
BAV19WS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV19WS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV19WS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV19WS-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV19WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV20WS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV20WS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV20WS-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV20WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV21WS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX08A-1TQG144I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
EX128-TQ100A
Microsemi Corporation
XCKU5P-2FFVB676E
Xilinx Inc.
XC7S100-1FGGA676C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP1K100FC256-1
Intel
XC7K70T-1FBG484I
Xilinx Inc.
LFX200B-04F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4MG132CR1
Lattice Semiconductor Corporation