casa / productos / Condensadores / Condensadores electrolíticos de aluminio / USV1H0R1MFD1TE
Número de pieza del fabricante | USV1H0R1MFD1TE |
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Número de parte futuro | FT-USV1H0R1MFD1TE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | USV |
USV1H0R1MFD1TE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Capacidad | 0.1µF |
Tolerancia | ±20% |
Tensión nominal | 50V |
ESR (Resistencia en Serie Equivalente) | - |
Lifetime @ Temp. | 5000 Hrs @ 105°C |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C |
Polarización | Polar |
Calificaciones | - |
Aplicaciones | General Purpose |
Corriente de ondulación a baja frecuencia | 1mA @ 120Hz |
Corriente de ondulación a alta frecuencia | 1.5mA @ 10kHz |
Impedancia | - |
Espaciamiento del plomo | 0.059" (1.50mm) |
Tamaño / Dimensión | 0.157" Dia (4.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.315" (8.00mm) |
Tamaño de la tierra de montaje en superficie | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Radial, Can |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
USV1H0R1MFD1TE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | USV1H0R1MFD1TE-FT |
USV1V100MFD1TP
Nichicon
USV1A330MFD
Nichicon
USA1C220MDD
Nichicon
USA0J221MDD
Nichicon
USA1A101MDD
Nichicon
USV1H4R7MFD
Nichicon
USV1V4R7MFD
Nichicon
USA0J221MDD1TA
Nichicon
USA1A101MDD1TA
Nichicon
USA1C101MDD1TA
Nichicon
EX128-PTQ64I
Microsemi Corporation
XC2S100-5FG256C
Xilinx Inc.
A3P600-2FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FG256I
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FG256I
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE15E22C7
Intel
5SGXEA4K3F35C2LN
Intel
EP3SL150F1152I4L
Intel