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Número de pieza del fabricante | USV0J221MFD1TE |
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Número de parte futuro | FT-USV0J221MFD1TE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | USV |
USV0J221MFD1TE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Capacidad | 220µF |
Tolerancia | ±20% |
Tensión nominal | 6.3V |
ESR (Resistencia en Serie Equivalente) | - |
Lifetime @ Temp. | 5000 Hrs @ 105°C |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C |
Polarización | Polar |
Calificaciones | - |
Aplicaciones | General Purpose |
Corriente de ondulación a baja frecuencia | 130mA @ 120Hz |
Corriente de ondulación a alta frecuencia | 195mA @ 10kHz |
Impedancia | - |
Espaciamiento del plomo | 0.138" (3.50mm) |
Tamaño / Dimensión | 0.315" Dia (8.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.315" (8.00mm) |
Tamaño de la tierra de montaje en superficie | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Radial, Can |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
USV0J221MFD1TE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | USV0J221MFD1TE-FT |
MLS821M200EB0D
Cornell Dubilier Electronics (CDE)
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A3P1000-2PQG208
Microsemi Corporation
A54SX72A-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL340H1152C4
Intel
A40MX04-1PL44I
Microsemi Corporation
A40MX04-2PLG44I
Microsemi Corporation
XC5VLX110T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
XC7S50-1CSGA324I
Xilinx Inc.
LCMXO256E-5M100C
Lattice Semiconductor Corporation