casa / productos / Condensadores / Condensadores electrolíticos de aluminio / USP1A101MDD1TD
Número de pieza del fabricante | USP1A101MDD1TD |
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Número de parte futuro | FT-USP1A101MDD1TD |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | USP |
USP1A101MDD1TD Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Capacidad | 100µF |
Tolerancia | ±20% |
Tensión nominal | 10V |
ESR (Resistencia en Serie Equivalente) | - |
Lifetime @ Temp. | 2000 Hrs @ 85°C |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C |
Polarización | Bi-Polar |
Calificaciones | - |
Aplicaciones | General Purpose |
Corriente de ondulación a baja frecuencia | 110mA @ 120Hz |
Corriente de ondulación a alta frecuencia | 165mA @ 10kHz |
Impedancia | - |
Espaciamiento del plomo | 0.138" (3.50mm) |
Tamaño / Dimensión | 0.315" Dia (8.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.315" (8.00mm) |
Tamaño de la tierra de montaje en superficie | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Radial, Can |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
USP1A101MDD1TD Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | USP1A101MDD1TD-FT |
USR1E470MDD1TE
Nichicon
USR0J221MDD
Nichicon
USR1V330MDD
Nichicon
USR0G221MDD1TP
Nichicon
USR1A101MDD1TP
Nichicon
USR1A101MDD
Nichicon
USR0G221MDD
Nichicon
USR0G221MDD1TE
Nichicon
USR0J221MDD1TE
Nichicon
USR0J221MDD1TP
Nichicon
XC3S100E-5VQG100C
Xilinx Inc.
M2GL010-VFG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-PL68
Microsemi Corporation
A42MX09-VQ100M
Microsemi Corporation
AGLN060V2-VQG100
Microsemi Corporation
EP4CE6F17C8N
Intel
5SGXMA4K1F35I2N
Intel
XC7A12T-1CPG238C
Xilinx Inc.
LFX200B-03F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000ZE-2FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation