casa / productos / Condensadores / Condensadores electrolíticos de aluminio / USA1V4R7MDD1TE
Número de pieza del fabricante | USA1V4R7MDD1TE |
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Número de parte futuro | FT-USA1V4R7MDD1TE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | USA |
USA1V4R7MDD1TE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Capacidad | 4.7µF |
Tolerancia | ±20% |
Tensión nominal | 35V |
ESR (Resistencia en Serie Equivalente) | - |
Lifetime @ Temp. | 2000 Hrs @ 85°C |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C |
Polarización | Polar |
Calificaciones | - |
Aplicaciones | General Purpose |
Corriente de ondulación a baja frecuencia | 24mA @ 120Hz |
Corriente de ondulación a alta frecuencia | 36mA @ 10kHz |
Impedancia | - |
Espaciamiento del plomo | 0.059" (1.50mm) |
Tamaño / Dimensión | 0.157" Dia (4.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.315" (8.00mm) |
Tamaño de la tierra de montaje en superficie | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Radial, Can |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
USA1V4R7MDD1TE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | USA1V4R7MDD1TE-FT |
USA1C100MDD1TP
Nichicon
USA0J101MDD
Nichicon
USA1H100MDD
Nichicon
USV1H010MFD
Nichicon
USA1V220MDD1TP
Nichicon
USA1E330MDD1TP
Nichicon
USV1V100MFD
Nichicon
USA0J470MDD
Nichicon
USV1C100MFD
Nichicon
USA1V100MDD1TP
Nichicon
LCMXO256C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3PE3000-PQG208I
Microsemi Corporation
EP2A15F672C8
Intel
5SGSMD8K3F40I3LN
Intel
5SGXMA5H2F35I2LN
Intel
LCMXO2-1200UHC-4FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F31I5N
Intel
EP1S40F780C6
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP4SGX290FF35I3N
Intel