casa / productos / Condensadores / Condensadores electrolíticos de aluminio / USA1H4R7MDD1TE
Número de pieza del fabricante | USA1H4R7MDD1TE |
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Número de parte futuro | FT-USA1H4R7MDD1TE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | USA |
USA1H4R7MDD1TE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Capacidad | 4.7µF |
Tolerancia | ±20% |
Tensión nominal | 50V |
ESR (Resistencia en Serie Equivalente) | - |
Lifetime @ Temp. | 2000 Hrs @ 85°C |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C |
Polarización | Polar |
Calificaciones | - |
Aplicaciones | General Purpose |
Corriente de ondulación a baja frecuencia | 29mA @ 120Hz |
Corriente de ondulación a alta frecuencia | 43.5mA @ 10kHz |
Impedancia | - |
Espaciamiento del plomo | 0.197" (5.00mm) |
Tamaño / Dimensión | 0.197" Dia (5.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.315" (8.00mm) |
Tamaño de la tierra de montaje en superficie | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Radial, Can |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
USA1H4R7MDD1TE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | USA1H4R7MDD1TE-FT |
USV1V220MFD1TE
Nichicon
USV1V220MFD1TP
Nichicon
USV1V330MFD
Nichicon
USV1V330MFD1TD
Nichicon
USA1C100MDD1TP
Nichicon
USA0J101MDD
Nichicon
USA1H100MDD
Nichicon
USV1H010MFD
Nichicon
USA1V220MDD1TP
Nichicon
USA1E330MDD1TP
Nichicon
XC3S400-5FG456C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-3FGG484I
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A54SX32A-FGG256M
Microsemi Corporation
5SGXEA7N2F40I3
Intel
EP2AGX125DF25C6N
Intel
A42MX09-1TQG176
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQ160I
Microsemi Corporation
A3P1000-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29I5N
Intel