casa / productos / Condensadores / Condensadores electrolíticos de aluminio / USA1H0R1MDD1TE
Número de pieza del fabricante | USA1H0R1MDD1TE |
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Número de parte futuro | FT-USA1H0R1MDD1TE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | USA |
USA1H0R1MDD1TE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Capacidad | 0.1µF |
Tolerancia | ±20% |
Tensión nominal | 50V |
ESR (Resistencia en Serie Equivalente) | - |
Lifetime @ Temp. | 2000 Hrs @ 85°C |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C |
Polarización | Polar |
Calificaciones | - |
Aplicaciones | General Purpose |
Corriente de ondulación a baja frecuencia | 1mA @ 120Hz |
Corriente de ondulación a alta frecuencia | 1.5mA @ 10kHz |
Impedancia | - |
Espaciamiento del plomo | 0.059" (1.50mm) |
Tamaño / Dimensión | 0.157" Dia (4.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.315" (8.00mm) |
Tamaño de la tierra de montaje en superficie | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Radial, Can |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
USA1H0R1MDD1TE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | USA1H0R1MDD1TE-FT |
USV1HR22MFD
Nichicon
USV1HR47MFD
Nichicon
USA0J220MDD
Nichicon
USA1H2R2MDD
Nichicon
USA1V330MDD
Nichicon
USA1C101MDD
Nichicon
USA1V100MDD
Nichicon
USA1C470MDD1TP
Nichicon
USA1H2R2MDD1TP
Nichicon
USV1C100MFD1TE
Nichicon
LFE2-12E-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S150-6PQ208C
Xilinx Inc.
ICE5LP1K-SWG36ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-2VQ100
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
5AGXBA7D4F27C4N
Intel
M1AFS1500-1FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I3
Intel
EP20K60EFC324-3
Intel