casa / productos / Condensadores / Condensadores electrolíticos de aluminio / USA1H010MDD1TE
Número de pieza del fabricante | USA1H010MDD1TE |
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Número de parte futuro | FT-USA1H010MDD1TE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | USA |
USA1H010MDD1TE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Capacidad | 1µF |
Tolerancia | ±20% |
Tensión nominal | 50V |
ESR (Resistencia en Serie Equivalente) | - |
Lifetime @ Temp. | 2000 Hrs @ 85°C |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C |
Polarización | Polar |
Calificaciones | - |
Aplicaciones | General Purpose |
Corriente de ondulación a baja frecuencia | 10mA @ 120Hz |
Corriente de ondulación a alta frecuencia | 15mA @ 10kHz |
Impedancia | - |
Espaciamiento del plomo | 0.059" (1.50mm) |
Tamaño / Dimensión | 0.157" Dia (4.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.315" (8.00mm) |
Tamaño de la tierra de montaje en superficie | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Radial, Can |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
USA1H010MDD1TE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | USA1H010MDD1TE-FT |
USF1A220MDD1TP
Nichicon
USF1C150MDD1TE
Nichicon
USF1C150MDD1TP
Nichicon
USF1E100MDD1TE
Nichicon
USF1E100MDD1TP
Nichicon
USF1V6R8MDD1TE
Nichicon
USF1V6R8MDD1TP
Nichicon
USF1A680MDD
Nichicon
USF1V330MDD1TD
Nichicon
USF1A151MDD
Nichicon
XC6SLX45-3FG676C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FGG484C
Xilinx Inc.
LFE2-70E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX048E2F29E2LG
Intel
5SGXEA5K3F35I4N
Intel
LFE2M35SE-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1X
Intel