casa / productos / Condensadores / Condensadores electrolíticos de aluminio / USA1E330MDD1TE
Número de pieza del fabricante | USA1E330MDD1TE |
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Número de parte futuro | FT-USA1E330MDD1TE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | USA |
USA1E330MDD1TE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Capacidad | 33µF |
Tolerancia | ±20% |
Tensión nominal | 25V |
ESR (Resistencia en Serie Equivalente) | - |
Lifetime @ Temp. | 2000 Hrs @ 85°C |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C |
Polarización | Polar |
Calificaciones | - |
Aplicaciones | General Purpose |
Corriente de ondulación a baja frecuencia | 63mA @ 120Hz |
Corriente de ondulación a alta frecuencia | 94.5mA @ 10kHz |
Impedancia | - |
Espaciamiento del plomo | 0.098" (2.50mm) |
Tamaño / Dimensión | 0.248" Dia (6.30mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.315" (8.00mm) |
Tamaño de la tierra de montaje en superficie | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Radial, Can |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
USA1E330MDD1TE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | USA1E330MDD1TE-FT |
USV1E220MFD1TE
Nichicon
USV1E220MFD1TP
Nichicon
USV1E330MFD1TE
Nichicon
USV1E330MFD1TP
Nichicon
USV1E470MFD1TD
Nichicon
USV1H100MFD
Nichicon
USV1H100MFD1TE
Nichicon
USV1H100MFD1TP
Nichicon
USV1H220MFD1TD
Nichicon
USV1V220MFD1TE
Nichicon
XCVU3P-1FFVC1517E
Xilinx Inc.
M2GL090T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
AGL600V5-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO3L-6900C-5BG400I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1152C4N
Intel
XC6SLX4-L1CPG196I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1BG329
Microsemi Corporation
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65CU17I5
Intel
EP4CE115F29I8LN
Intel