casa / productos / Condensadores / Condensadores electrolíticos de aluminio / USA1C101MDD1TD
Número de pieza del fabricante | USA1C101MDD1TD |
---|---|
Número de parte futuro | FT-USA1C101MDD1TD |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | USA |
USA1C101MDD1TD Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Capacidad | 100µF |
Tolerancia | ±20% |
Tensión nominal | 16V |
ESR (Resistencia en Serie Equivalente) | - |
Lifetime @ Temp. | 2000 Hrs @ 85°C |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C |
Polarización | Polar |
Calificaciones | - |
Aplicaciones | General Purpose |
Corriente de ondulación a baja frecuencia | 107mA @ 120Hz |
Corriente de ondulación a alta frecuencia | 160.5mA @ 10kHz |
Impedancia | - |
Espaciamiento del plomo | 0.138" (3.50mm) |
Tamaño / Dimensión | 0.315" Dia (8.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.315" (8.00mm) |
Tamaño de la tierra de montaje en superficie | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Radial, Can |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
USA1C101MDD1TD Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | USA1C101MDD1TD-FT |
USV0J101MFD
Nichicon
USV0J101MFD1TE
Nichicon
USV0J101MFD1TP
Nichicon
USV0J221MFD1TD
Nichicon
USV1A101MFD1TD
Nichicon
USV1A470MFD1TE
Nichicon
USV1A470MFD1TP
Nichicon
USV1C101MFD1TD
Nichicon
USV1C330MFD1TE
Nichicon
USV1C330MFD1TP
Nichicon
A40MX04-VQG80M
Microsemi Corporation
XC3S1400A-4FGG676C
Xilinx Inc.
M1AGL600V2-FG484
Microsemi Corporation
M2GL025TS-1VFG256
Microsemi Corporation
EP3C55F484I7N
Intel
10M16DCF484A7G
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC2VP7-5FFG896C
Xilinx Inc.
A54SX08A-TQG100
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000HC-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation