casa / productos / Condensadores / Condensadores electrolíticos de aluminio / USA1A330MDD1TE
Número de pieza del fabricante | USA1A330MDD1TE |
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Número de parte futuro | FT-USA1A330MDD1TE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | USA |
USA1A330MDD1TE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Capacidad | 33µF |
Tolerancia | ±20% |
Tensión nominal | 10V |
ESR (Resistencia en Serie Equivalente) | - |
Lifetime @ Temp. | 2000 Hrs @ 85°C |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C |
Polarización | Polar |
Calificaciones | - |
Aplicaciones | General Purpose |
Corriente de ondulación a baja frecuencia | 47mA @ 120Hz |
Corriente de ondulación a alta frecuencia | - |
Impedancia | - |
Espaciamiento del plomo | 0.197" (5.00mm) |
Tamaño / Dimensión | 0.197" Dia (5.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.315" (8.00mm) |
Tamaño de la tierra de montaje en superficie | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Radial, Can |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
USA1A330MDD1TE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | USA1A330MDD1TE-FT |
USV1A101MFD1TA
Nichicon
USV1C101MFD1TA
Nichicon
USV1E470MFD1TA
Nichicon
USV1H220MFD1TA
Nichicon
USV1V330MFD1TA
Nichicon
USV0J101MFD
Nichicon
USV0J101MFD1TE
Nichicon
USV0J101MFD1TP
Nichicon
USV0J221MFD1TD
Nichicon
USV1A101MFD1TD
Nichicon
XC2S100-6FGG256C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FG484I
Microsemi Corporation
AGLE600V2-FG256I
Microsemi Corporation
5SGSMD3E2H29C2N
Intel
XC4VLX25-10SFG363C
Xilinx Inc.
XC7A15T-2CPG236I
Xilinx Inc.
A42MX09-1TQ176M
Microsemi Corporation
A42MX24-1TQ176
Microsemi Corporation
EPF6024AQC240-2
Intel
EP20K200RC208-1V
Intel