casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos / US6X8TR
Número de pieza del fabricante | US6X8TR |
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Número de parte futuro | FT-US6X8TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
US6X8TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | 2 NPN (Dual) |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 1A |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 30V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 350mV @ 25mA, 500mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 270 @ 100mA, 2V |
Potencia - max | 400mW |
Frecuencia - Transición | 320MHz |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-SMD, Flat Leads |
Paquete del dispositivo del proveedor | TUMT6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
US6X8TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | US6X8TR-FT |
ULQ2001D1013TR
STMicroelectronics
ULQ2003D1
STMicroelectronics
JANTXV2N6989
Microsemi Corporation
MAT14ARZ
Analog Devices Inc.
MAT14ARZ-R7
Analog Devices Inc.
MAT14ARZ-RL
Analog Devices Inc.
ULN2003F12FN-7
Diodes Incorporated
HN2A01FU-Y(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2C01FU-GR(T5L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2C01FU-Y(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
A54SX32A-FG484
Microsemi Corporation
M7AFS600-FG256
Microsemi Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
A10V10B-PLG68C
Microsemi Corporation
EP20K600CF672C9
Intel
EP20K600EFC672-1N
Intel
10M08DAF484I7G
Intel
10AX032E2F27I2SG
Intel
XC7K160T-1FB484I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-4300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation