casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos / US6T8TR
Número de pieza del fabricante | US6T8TR |
---|---|
Número de parte futuro | FT-US6T8TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
US6T8TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | 2 PNP (Dual) |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 1.5A |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 12V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 25mA, 500mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 270 @ 200mA, 2V |
Potencia - max | 400mW |
Frecuencia - Transición | 400MHz |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-SMD, Flat Leads |
Paquete del dispositivo del proveedor | TUMT6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
US6T8TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | US6T8TR-FT |
ULN2003AFWG,O,N,E
Toshiba Semiconductor and Storage
ULN2003D1
STMicroelectronics
ULQ2001D1013TR
STMicroelectronics
ULQ2003D1
STMicroelectronics
JANTXV2N6989
Microsemi Corporation
MAT14ARZ
Analog Devices Inc.
MAT14ARZ-R7
Analog Devices Inc.
MAT14ARZ-RL
Analog Devices Inc.
ULN2003F12FN-7
Diodes Incorporated
HN2A01FU-Y(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S500E-5FT256C
Xilinx Inc.
A54SX08-1VQG100I
Microsemi Corporation
5CGTFD5F5M11C7N
Intel
EP3SL110F1152C2N
Intel
LFXP10C-4FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34E3LG
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EP20K200RC240-1X
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EPF8820ARC208-4
Intel