casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / US5U2TR
Número de pieza del fabricante | US5U2TR |
---|---|
Número de parte futuro | FT-US5U2TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
US5U2TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1.4A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 240 mOhm @ 1.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 2nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 70pF @ 10V |
Característica FET | Schottky Diode (Isolated) |
Disipación de potencia (max) | 1W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | TUMT5 |
Paquete / Caja | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
US5U2TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | US5U2TR-FT |
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