Número de pieza del fabricante | US5B-TP |
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Número de parte futuro | FT-US5B-TP |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
US5B-TP Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 5A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 5A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 50ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AB, SMC |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AB (SMC) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
US5B-TP Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | US5B-TP-FT |
HSM830JE3/TR13
Microsemi Corporation
HSM835J/TR13
Microsemi Corporation
HSM835JE3/TR13
Microsemi Corporation
HSM840J/TR13
Microsemi Corporation
HSM840JE3/TR13
Microsemi Corporation
HSM845J/TR13
Microsemi Corporation
HSM845JE3/TR13
Microsemi Corporation
HSM880J/TR13
Microsemi Corporation
HSM880JE3/TR13
Microsemi Corporation
HSM890J/TR13
Microsemi Corporation
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel