Número de pieza del fabricante | US1M-TP |
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Número de parte futuro | FT-US1M-TP |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
US1M-TP Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1000V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.4V @ 2A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 100ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
Capacitancia a Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AC, SMA |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AC (SMA) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
US1M-TP Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | US1M-TP-FT |
BAT46W-TP
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Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
A54SX08A-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C4
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EP4CE115F23C9L
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EP3SE80F1152C3
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Xilinx Inc.
EP2SGX30CF780C5N
Intel
EP4SGX230FF35C4N
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