Número de pieza del fabricante | US1K-13 |
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Número de parte futuro | FT-US1K-13 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
US1K-13 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 800V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.7V @ 1A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 75ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 800V |
Capacitancia a Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AC, SMA |
Paquete del dispositivo del proveedor | SMA |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
US1K-13 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | US1K-13-FT |
B190-13-F
Diodes Incorporated
B240AE-13
Diodes Incorporated
B260AQ-13-F
Diodes Incorporated
RS2AA-13-F
Diodes Incorporated
RS2GA-13-F
Diodes Incorporated
RS2MA-13-F
Diodes Incorporated
SBR1U150SAQ-13
Diodes Incorporated
SDT3A45SA-13
Diodes Incorporated
US1A-13-F
Diodes Incorporated
B240AQ-13-F
Diodes Incorporated
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel